窒化物半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-097330
公開番号（公開出願番号）：特開2008-258310
出願日： 2007年04月03日
公開日（公表日）： 2008年10月23日
要約：

【課題】完全なノーマリーオフ型動作を実現することができる、窒化物半導体装置を提供する。【解決手段】基板上にIII-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、III-V族窒化物半導体層からなり、アルミニウムを含まない第2の窒化物半導体層と、III-V族窒化物半導体層からなり、第1及び第2のIII-V族窒化物半導体層より成膜温度の低い膜からなるアルミニウムを含まない第3の窒化物半導体層が順に積層され、第3の窒化物半導体層にショットキ接触する制御電極を備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に積層したガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層の上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなり、アルミニウムを含まない第2の窒化物半導体層と、該第2の窒化物半導体層上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなり、前記第1及び第2のIII-V族窒化物半導体層より成膜温度の低い膜からなるアルミニウムを含まない第3の窒化物半導体層が順に積層された窒化物半導体装置において、前記第3の窒化物半導体層にショットキ接触する制御電極を備え、前記制御電極に印加する制御電圧が0Vのとき、前記制御電極直下の前記第1の窒化物半導体層からなるチャネルにキャリアが存在せず、前記制御電極直下以外の前記チャネルにキャリアが存在していることを特徴とする窒化物半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 21/205 , H01L 21/203

FI (4件)：

H01L29/80 H , H01L29/48 D , H01L21/205 , H01L21/203 M

Fターム (39件)：

4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD28 , 4M104FF13 , 4M104GG12 , 4M104HH15 , 4M104HH20 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AD09 , 5F045AF02 , 5F045DA53 , 5F045DA61 , 5F045DA66 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GS02 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC02 , 5F103AA04 , 5F103DD01 , 5F103GG02 , 5F103HH03 , 5F103NN01

引用特許：

審査官引用 (1件)

窒化物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-039387 出願人：新日本無線株式会社

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