窒化物半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-039387
公開番号（公開出願番号）：特開2006-228891
出願日： 2005年02月16日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：

【課題】完全なノーマリーオフ型動作を実現することができる、窒化物半導体装置を提供すること。【解決手段】基板上に積層したガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、第1の窒化物半導体層の上に積層したIII-V族窒化物半導体層からなり、アルミニウムを含まない第2の窒化物半導体層と、第2の窒化物半導体層にショットキ接触する制御電極とを備え、第2の窒化物半導体層は、第1の窒化物半導体層より成膜温度の低い膜からなる窒化物半導体装置において、制御電極に印加する制御電圧が0Vのとき、制御電極直下の前記第1の窒化物半導体層からなるチャネルにキャリアが存在せず、制御電極直下以外のチャネルにキャリアが存在するように構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に積層したガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層の上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなり、アルミニウムを含まない第2の窒化物半導体層と、該第2の窒化物半導体層にショットキ接触する制御電極とを備え、前記第2の窒化物半導体層は、前記第1の窒化物半導体層より成膜温度の低い膜からなる窒化物半導体装置において、前記制御電極に印加する制御電圧が0Vのとき、前記制御電極直下の前記第1の窒化物半導体層からなるチャネルにキャリアが存在せず、前記制御電極直下以外の前記チャネルにキャリアが存在していることを特徴とする窒化物半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (14件)：

5F102FA00 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-196749 出願人：日本電気株式会社

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