特許
J-GLOBAL ID：200903053918289536
半導体集積回路装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-289516
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134967
出願日： 1995年11月08日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：
【要約】【課題】 半導体集積回路装置の基本セルに関し、不純物拡散層のコンタクト部の配置間隔と配線間隔とを同一とすることなく、不純物拡散層上に多くの配線を配置してトランジスタ使用率を高める。【解決手段】 1対のp型の電界効果トランジスタTP1, TP2及び1対のn型の電界効果トランジスタTN1, TN2と、このn型及びp型の電界効果トランジスタTN1, TN2のソース及びドレインとなる不純物拡散層12,13,16,19,21,24に配置するコンタクト部と、このコンタクト部の配置間隔よりも細かい配線ピッチで配置する多層配線とを備えた基本セルを有している。
請求項（抜粋）：
1対のp型の電界効果トランジスタ及び1対のn型の電界効果トランジスタと、前記電界効果トランジスタのゲートの両側に位置した不純物拡散層にそれぞれ形成されるコンタクト部と、前記電界効果トランジスタのゲート方向に沿って配置され、該電界効果トランジスタの不純物拡散層のコンタクト部の配置間隔よりも狭い配線間隔で配置される配線とを備えた基本セルを有していることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 27/118
, H01L 21/3205
H01L 27/08 321 J
, H01L 21/82 M
, H01L 21/88 A
