特許
J-GLOBAL ID：200903053918514025

半導体装置のリード外観検査方法および検査装置

発明者：
木田 智之

木田 智之 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-012611
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204096
出願日： 1995年01月30日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 実装状態に合わせてリード曲がりの良否を判定する。【構成】 CCDカメラ7で撮像された半導体装置の外形画像データを記憶し(S102)、外形画像データのリード先端に基づき外形中心を算出する(S106)。次いで、外形設計寸法データに対して向きおよび中心が一致するように、両データを重ね合わせ、リードの先端部について、外形画像データの誤差量を求める(S110)。そして、この誤差量を規格値と規格値とを比較し(S111)、リード曲がりの良否を判定する。
請求項（抜粋）：
予め、検査対象となるフラットパック形パッケージの半導体装置の、リードに関わる設計寸法データおよび規格値を外部記憶装置に記憶しておき、前記半導体装置の外形を撮像して得られた画像を外形画像データとして記憶するとともに、前記設計寸法データを外形設計画像データとして記憶し、前記外形画像データを、前記外形設計画像データに対して向きおよび中心が一致するように重ね合わせ、前記外形画像データ上で前記外形設計画像データをシフトさせ、リードの先端部について前記外形設計画像データが前記外形画像データと重ならなくなる位置を探索することで、前記外形設計画像データに対する前記外形画像データの誤差量を求め、前記求めた誤差量を前記規格値と比較して前記半導体装置のリード曲がりについて良否を判定することを特徴とする、半導体装置のリード外観検査方法。
IPC (4件)：
H01L 23/50 ,  G01B 11/24 ,  G01N 21/88 ,  H01L 21/66
引用特許：
審査官引用 (4件)
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