特許

J-GLOBAL ID：200903053919737184

半導体発光素子

発明者： 岩本 昌伸 ,  石田 美和 ,  小松原 正
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-188392
公開番号（公開出願番号）：特開2007-012688
出願日： 2005年06月28日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：

【課題】 シリコン受光素子の受光感度に広く対応できる発光波長を有する半導体発光素子を提供する。【解決手段】 化合物半導体基板と、前記化合物半導体基板上に形成され、障壁層及び歪量子井戸層を含んだ活性層と、前記活性層と前記化合物半導体基板の間に設けられた第1クラッド層と、前記活性層の上部に設けられた第2クラッド層と、前記第2クラッド層上に設けられた電流拡散層と、を備え、前記活性層からの放射光の波長は、前記化合物半導体基板及び前記電流拡散層のバンドギャップ波長より長いことを特徴とした半導体発光素子が提供される。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板と、 前記化合物半導体基板の上に設けられた第1クラッド層と、 前記第1クラッド層の上に設けられ、障壁層と歪量子井戸層とを含む活性層と、 前記活性層の上に設けられた第2クラッド層と、 前記第2クラッド層の上に設けられた電流拡散層と、 を備え、 前記活性層からの放射光の波長は、前記化合物半導体基板及び前記電流拡散層のバンドギャップ波長より長いことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 A

Fターム (5件)：

5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CB36

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-308171   出願人：スタンレー電気株式会社