半導体発光装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高橋敬四郎 , 来山幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-308171
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146498
出願日： 2002年10月23日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：

【課題】シリコンを用いたフォトダイオードの受光感度が高い赤外波長領域の光の発光に適し、かつ発光出力の低下を伴うことなく遮断周波数の向上を図ることが可能な半導体発光装置を提供する。【解決手段】III-V族化合物半導体からなる支持基板の主面が、(100)面、または(100)面からの傾斜角度が2°以下の面である。支持基板の主面上に発光積層構造が形成されている。発光積層構造は、Inを含むIII-V族混晶半導体からなる量子井戸層、量子井戸層を挟み、量子井戸層よりもバンドギャップの大きな一対のキャリア閉込層、この3層を挟み、キャリア閉込層よりもバンドギャップの大きな一対のクラッド層とを含む。キャリア閉込層の伝導帯下端のエネルギ準位と、量子井戸層内の電子の基底準位との差が100meV以上になるように、量子井戸層とキャリア閉込層の材料、及び量子井戸層の厚さが選択されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体で形成され、(100)面、または(100)面からの傾斜角度が2°以下の結晶面を主面とする支持基板と、前記支持基板の主面上に配置された発光積層構造であって、Inを含むIII-V族混晶半導体からなる量子井戸層、該量子井戸層を挟み、該量子井戸層よりもバンドギャップの大きな半導体材料からなる一対のキャリア閉込層、該量子井戸層と一対のキャリア閉込層との3層を挟み、該キャリア閉込層よりもバンドギャップの大きな半導体材料からなる一対のクラッド層とを含み、該キャリア閉込層の伝導帯下端のエネルギ準位と、該量子井戸層内の電子の基底準位との差が100meV以上になるように、前記量子井戸層と前記キャリア閉込層の材料、及び前記量子井戸層の厚さが選択されている前記発光積層構造と、前記発光積層構造にキャリアを注入するための電極とを有する半導体発光装置。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 A

Fターム (12件)：

5F041AA02 , 5F041CA05 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA36 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA76 , 5F041CA85

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-161794 出願人：住友電気工業株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-252539 出願人：日本酸素株式会社
窓型半導体レーザおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-130663 出願人：日本電気株式会社

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