特許

J-GLOBAL ID：200903053929390476

窒素化合物半導体結晶成長方法および成長装置

発明者： 桑原 正和 ,  菅 博文 ,  石田 明広 ,  藤安 洋 ,  榊原 愼吾 ,  山本 悦司
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社 ,  ヤマハ株式会社 ,  石田 明広 ,  藤安 洋
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-068384
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264460
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 原料ガスの消費量を低減して窒素化合物半導体結晶を成長する。【構成】 原料ガスを、加熱や光照射もしくはその両方が可能な第1の成長室200および第2の成長室内300に閉じ込め、加熱や光照射もしくはその両方により分解および活性化し、同時に基板900の加熱や基板表面への光照射もしくはその両方により活性化して、基板900の表面上に、良質の窒素化合物半導体の結晶を成長させることにより、原料ガス、特に窒素の供給源ガスの分解効率を高める。この結果、原料ガスの成長薄膜への供給効率が高まり、原料ガスの消費量を格段に減少できる。

請求項（抜粋）：

窒素の供給源として窒素ガスを含む気体を用いる窒素化合物半導体結晶成長方法であって、残留蒸気圧が10-3Torr程度以下の雰囲気中で基板を加熱する第1の工程と、前記基板を前記第1の温度に設定および前記基板の表面に光照射の少なくとも一方を行いながら、前記基板の表面を第1の成長室内で第2の温度に設定および光照射の少なくとも一方がなされた前記窒素ガスを含む気体にさらし、前記基板の表面に窒素を化合させる第2の工程と、前記基板の温度を前記第1の温度よりも低い第3の温度に設定および前記基板の表面に光照射の少なくとも一方を行いながら、前記基板の表面を第2の成長室内で第4の温度に設定および光照射の少なくとも一方がなされた成長させるべき陽イオン元素ガスまたは前記陽イオン元素の化合物のガスを含む気体にさらし、前記基板の表面に前記陽イオン元素を堆積または蒸着する第3の工程と、前記陽イオン元素が堆積または蒸着された前記基板の表面に加熱および光照射の少なくとも一方を行いながら、前記基板の表面を前記第1の成長室内で加熱および光照射の少なくとも一方がなされた前記窒素ガスを含む気体にさらす第4の工程と、前記基板の表面を前記第1の成長室内で加熱および光照射の少なくとも一方がなされた前記窒素ガスを含む気体にさらしながら、前記基板を第5の温度に設定および光照射の少なくとも一方を行い、窒素化合物半導体の初期層を形成する第5の工程と、前記窒素化合物半導体の初期層が形成された前記基板の表面に加熱および光照射の少なくとも一方を行いながら、前記第2の成長室内で第6の温度に設定および光照射の少なくとも一方がなされた成長させるべき前記陽イオン元素ガスまたは前記陽イオン元素の化合物のガスと前記窒素ガスとを含む気体にさらし、前記初期層の表面に前記窒素化合物半導体層を成長させる第6の工程と、を備えることを特徴とする窒素化合物半導体結晶成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 B ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-051391
  
• 薄膜製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-256176   出願人：東京電気株式会社
• 特開昭63-179070
  
• 特開昭63-178516