特許

J-GLOBAL ID：200903053948093954

電界効果トランジスタ

発明者： 野口 隆
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-079695
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291269
出願日： 1993年04月06日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】 短チャネル効果の改善をはかるとともに、さらに全体の占有面積の縮小化をはかるものである。【構成】 第1導電型チャネルの電界効果トランジスタFET1 が形成された第1の半導体層21と、第2導電型チャネルの電界効果トランジスタFET2 が形成された第2の半導体層22とが、絶縁層を介して積層され、第1及び第2の半導体層21及び22の互いに反対側の面の互いに対向する位置に、第1及び第2の絶縁ゲート電極31及び32が形成され、第1及び第2の半導体層21及び22間に両トランジスタFET1 とFET2 とに対する共通の第3の絶縁ゲート電極33が各第1及び第2絶縁ゲート電極に対向して配置された構成とする。

請求項（抜粋）：

第1導電型チャネルの電界効果トランジスタが形成された第1の半導体層と、第2導電型チャネルの電界効果トランジスタが形成された第2の半導体層とが、絶縁層23を介して積層され、上記第1及び第2の半導体層の互いに反対側の面の互いに対向する位置に、第1及び第2の絶縁ゲート電極が形成され、上記第1及び第2の半導体層間に上記両トランジスタに対する共通の第3の絶縁ゲート電極33が上記第1及び第2絶縁ゲート電極に対向して配置されたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 27/092 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 27/08 321 G ,  H01L 29/78 301 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-102264
  
• ペプチド化合物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-214280   出願人：住友製薬株式会社