特許

J-GLOBAL ID：200903053961605115

電界効果トランジスタ

発明者： 古畑 直規
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-272066
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116839
出願日： 1996年10月15日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】 プロセス過程においてバリア層がエッチング、変質することを防止し、良好な耐圧と特性を有するpチャネル電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 III-V族化合物半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて、チャネルがp型伝導体の半導体層で形成され、かつゲート電極下にチャネルを形成する半導体層より禁制帯幅の大きい、少なくとも2種類の半導体層で形成されるバリア層を備えることを特徴とし、特にバリア層として少なくとも2種の異なるAl組成比を有するAlGaAsを用い、ゲート直下にはAl組成比が0.3以下である層14を配し、その下部にAl組成比が0.5以上である層13を配して二層構造とする。

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて、チャネルがp型伝導体の半導体層で形成され、かつゲート電極下にチャネルを形成する半導体層より禁制帯幅の大きい、少なくとも2種類の半導体層で形成されるバリア層を備え、該バリア層がAlxGa1-xAsとしてAl組成比0.5以上の層とAl組成比0.3以下の層を含むものであり、Al組成比の低い層がゲート直下に配されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/06 ,  H01L 21/8232 ,  H01L 27/095

FI (3件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 27/06 F ,  H01L 29/80 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-185478   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭62-264672
  
• 特開平1-166571