半導体集積回路装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-335371
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142447
出願日： 2001年10月31日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】半導体集積回路装置の製造工程に用いる超純水を製造する工程において、超純水中にイオン化したアミンが流出することを防ぐ。【解決手段】筐体KOT内にポリスルホン膜またはポリイミド膜などから形成された複数の毛管状の中空糸膜TYMを配置し、それら複数の中空糸膜TYMの両端部を熱溶着によって接着し、さらにその熱溶着によって中空糸膜TYMを筐体へも接着してなるUFモジュールをUF装置中に配置し、このようなUF装置を超純水製造システム中に配置する。

請求項（抜粋）：

(a)通常水を、一次浄化システムを有する一次純水システム内に、第1原料水として導入する工程、(b)前記一次浄化システムにより浄化された一次純水を、二次浄化システムを有する二次純水循環システム内に、第2原料水として導入する工程、(c)前記二次浄化システムにより浄化された二次純水を、第1ウェット処理装置に供給することによって、半導体集積回路ウェハに対して第1ウェット処理を実行する工程、を含み、前記(c)工程は、(c1)イオン除去フィルタによるイオン除去工程、(c2)限外濾過フィルタによる粒子性異物除去工程、(c3)前記イオン除去フィルタ及び前記限外濾過フィルタを通過した純水を前記第1ウェット処理装置に供給する工程、を含み、さらに前記第1ウェット処理装置に供給された時点での前記二次純水は、製造される半導体集積回路装置の特性に影響を与えない程度にイオン化アミンまたはイオン化したアミン系物質が除去されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/304 648 , H01L 21/304 , H01L 21/8247 , H01L 27/10 481 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 21/304 648 F , H01L 21/304 648 K , H01L 27/10 481 , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Fターム (22件)：

5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP50 , 5F083EP53 , 5F083EP63 , 5F083EP68 , 5F083GA24 , 5F083GA27 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083MA06 , 5F101BA29 , 5F101BA35 , 5F101BA36 , 5F101BB05 , 5F101BD05 , 5F101BD06 , 5F101BD07 , 5F101BH19 , 5F101BH30

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平4-078483
ユースポイントモジュールシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-226312 出願人：旭化成工業株式会社

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