特許
J-GLOBAL ID：200903054033181769
ジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-177284
公開番号（公開出願番号）：特開2009-016603
出願日： 2007年07月05日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：
【課題】高耐圧を得ることとPNダイオードを構成するためにドリフト層の表面に形成される半導体層を低抵抗にすることの両立を図る。【解決手段】各p型層8a〜8eとn-型ドリフト層2のうち各p型層8a〜8eの間に挟まれる領域に関して、これらのチャージ量が一致するような設計、すなわち各p型層8a〜8eのチャージ量(正孔電荷量)とn-型ドリフト層2のうち各p型層8a〜8eの間に挟まれる領域のチャージ量(電子電荷量)とが一致する設計とする。このようにチャージ量を一致させることを前提とすれば、各部の設計を容易に行うことが可能となると共に、高耐圧を得ることとPNダイオードを構成するためのp型層8a〜8eを低抵抗にすることの両立を図ることができるJBSを容易に設計することが可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主表面(1a)および裏面(1b)を有し、第1導電型の炭化珪素からなる基板(1)と、
前記基板(1)の前記主表面(1a)上に形成され、前記基板(1)よりも低不純物濃度とされた第1導電型の炭化珪素からなるドリフト層(2)と、
前記ドリフト層(2)の上に配置され、該ドリフト層(2)におけるセル部に開口部(3a)が形成された絶縁膜(3)と、
前記セル部に形成され、前記絶縁膜(3)の開口部(3a)を通じて、前記ドリフト層(2)の表面とショットキー接触するように形成されたショットキー電極(4)と、前記基板(1)の裏面(1b)に形成されたオーミック電極(5)とを備えてなるショットキーバリアダイオード(10)と、
前記ショットキー電極(4)のうち前記ドリフト層(2)と接する領域の下方に、前記ドリフト層(2)の表面において前記ショットキー電極(4)と接続されるように形成され、かつ、互いに離間して配置された複数の第2導電型層(8)とを備え、
前記複数の第2導電型層(8)と前記ドリフト層(2)とによりPNダイオードが構成され、
前記複数の第2導電型層(8)のチャージ量と前記ドリフト層(2)のうち前記複数の第2導電型層(8)の間に挟まれた領域のチャージ量とが一致するように、前記複数の第2導電型層(2)の寸法および第2導電型不純物濃度と前記ドリフト層(2)のうち前記複数の第2導電型層(8)の間に挟まれた領域の寸法および第1導電型不純物濃度とが設定されていることを特徴とするジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/47
, H01L 29/872
, H01L 29/06
, H01L 29/861
H01L29/48 F
, H01L29/48 D
, H01L29/06 301D
, H01L29/91 D
, H01L29/91 F
, H01L29/06 301G
, H01L29/91 K
4M104AA03
, 4M104BB05
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104CC03
, 4M104FF31
, 4M104FF32
, 4M104FF35
, 4M104GG03
