特許

J-GLOBAL ID：200903073405397865

ショットキーバリアダイオード

発明者： 八尾 勉 ,  大野 俊之 ,  小野瀬 秀勝 ,  及川 三郎 ,  菅原 良孝 ,  浅野 勝則 ,  林 智基
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  関西電力株式会社
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-051591
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252478
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】ショットキ接合を形成する第1導電型のSiC半導体基板の主表面に、深さおよび相互間の間隔の大きい第2導電型の第1表面層と、深さおよび相互間の間隔の小さい第2導電型の第2表面層を形成して、逆方向漏れ電流を低減した高耐圧、大電流のショットキーバリアダイオードを得る。【解決手段】低不純物濃度を有する第1導電型の第1半導体層3、および高不純物濃度を有する第1導電型の第2半導体層2とからなるSiC半導体基板と、前記第1半導体層の主表面に形成した、深さおよび相互間の間隔が比較的大きな第2導電型の第1表面層4と、前記第1表面層相互間に形成した、深さおよび相互間の間隔が比較的小さな第2導電型の第2表面層41と、前記第1半導体層の主表面に接合し、前記第1表面層および第2表面層と低抵抗でオーム接触するショットキー金属5と、前記第2半導体層に低抵抗でオーム接触するカソード電極6とからなる。

請求項（抜粋）：

低不純物濃度を有する第1導電型の第1半導体層、および高不純物濃度を有する第1導電型の第2半導体層とからなるSiC半導体基板と、前記第1半導体層の主表面に形成した、深さおよび相互間の間隔が比較的大きな第2導電型の第1表面層と、前記第1表面層相互間に形成した、深さおよび相互間の間隔が比較的小さな第2導電型の第2表面層と、前記第1半導体層の主表面に接合し、前記第1表面層および第2表面層と低抵抗でオーム接触するショットキー金属と、前記第2半導体層に低抵抗でオーム接触するカソード電極とからなるショットキーバリアダイオード。

FI (3件)：

H01L 29/48 D ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 G

Fターム (7件)：

4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB06 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG18 ,  4M104HH18

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平2-137368
  
• 車両用交流発電機及びショットキバリアダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-158124   出願人：株式会社デンソー
• パワー半導体構成素子及びその作製方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平11-501403   出願人：ダイムラークライスラーアクチエンゲゼルシャフト
• 半導体整流素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-211576   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (3件)

• 特開平2-137368
  
• 特開平2-137368
  
• 車両用交流発電機及びショットキバリアダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-158124   出願人：株式会社デンソー