特許

J-GLOBAL ID：200903054037920248

コンタクト抵抗検査用素子

発明者： 西川 哲司
出願人/特許権者： 新日本無線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-259527
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068863
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】 的確にコンタクト抵抗の異常を捉えることができるコンタクト抵抗検査用素子を提供する。【解決手段】 コンタクト抵抗検査用素子の下層電極を、半導体基板上に形成したP型あるいはN型の半導体領域に接続する構造とし、半導体装置の下層電極とほぼ同じ電位となるように構成する。このような構成とすることによって、電位差のある下層電極が、層間絶縁膜のエッチング液やレジスト剥離液などと接触する場合に発生する下層電極の異常なエッチングに起因するコンタクト抵抗の異常を的確に捉えることを可能とする。

請求項（抜粋）：

エッチングにより層間絶縁膜を除去し、ヴィアホールを形成してそれぞれ別の半導体領域に接続する複数の下層電極を露出させた後、該下層電極と接続する上層電極を形成する半導体装置と同時に形成され、前記下層電極と前記上層電極との間のコンタクト抵抗の異常を検査するコンタクト抵抗検査用素子において、前記半導体領域と同時に形成される少なくとも2以上の半導体領域と、前記下層電極と同時に形成され、少なくとも一及び別の前記半導体領域に接触する第1及び第2の電極と、前記層間絶縁膜と同時に形成される絶縁膜と、エッチングにより、前記層間絶縁膜と同時に前記第1、第2の電極上の前記絶縁膜の一部を除去して形成されるヴィアホールと、前記上層電極と同時に形成され、前記ヴィアホールを通して前記第1、第2の電極とそれぞれ接続する第3、第4の電極と、少なくとも前記第1の電極と前記第3の電極間、又は前記第2の電極と前記第4の電極間のコンタクト抵抗を測定する手段とを備えたことを特徴とするコンタクト抵抗検査用素子。

IPC (3件)：

H01L 21/822 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/04

FI (3件)：

H01L 27/04 T ,  H01L 21/88 S ,  H01L 27/04 E

Fターム (8件)：

5F033KK01 ,  5F033QQ37 ,  5F033VV12 ,  5F033XX37 ,  5F038DT04 ,  5F038DT12 ,  5F038EZ12 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-068065   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-134843
  
• 特開平1-143335
  
• 特開昭63-033837