特許

J-GLOBAL ID：200903054041571355

トンネル作用フェリ磁性磁気抵抗センサー

発明者： グレゴリー・エス・リー ,  エルジ・マオ
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 萩野 平 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-350925
公開番号（公開出願番号）：特開平9-198622
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 既知磁気抵抗センサーのそれよりはるかに大きい△R/Rをもつトンネル作用のフェリ磁性磁気抵抗センサーを提供する。【解決手段】薄膜層の積層から成るトンネル作用フェリ磁性磁気抵抗センサー10において、該薄膜層が、伝導性があり且つ飽和保磁力を有するフェリ磁性材料の層12と、伝導性があり且つフェリ磁性材料の保磁力とは実質的に異なる保磁力を有する磁気材料の層14と、フェリ磁性材料の層と磁気材料の層との間で電流キャリヤーのトンネル作用が可能となるほど厚さが十分薄い層であって、フェリ磁性材料の層と磁気材料の層との間に挿入された絶縁体の層16とを含んで成るセンサー。

請求項（抜粋）：

薄膜層の積層から成るトンネル作用フェリ磁性磁気抵抗センサーにおいて、該薄膜層が、伝導性があり且つ飽和保磁力を有するフェリ磁性材料の層と;伝導性があり且つフェリ磁性材料の保磁力とは実質的に異なる保磁力を有する磁気材料の層と;フェリ磁性材料の層と磁気材料の層との間で電流キャリヤーのトンネル作用が可能となるほど厚さが十分薄い層であって、フェリ磁性材料の層と磁気材料の層との間に挿入された絶縁体の層とを含んで成るセンサー。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁気抵抗素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-058877   出願人：権藤靖夫, 末澤慶孝, 高橋史明