特許
J-GLOBAL ID:200903054055751160
高出力半導体モジュール
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
江崎 光史
, 三原 恒男
, 奥村 義道
, 鍛冶澤 實
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-500967
公開番号(公開出願番号):特表2004-528724
出願日: 2002年05月30日
公開日(公表日): 2004年09月16日
要約:
積み重ね可能な電力半導体モジュールが、複数の導電性のベースプレート(2),1つの導電性のカバープレート(3)及び複数の半導体チップ(1)から構成される。半導体チップは、予備組み立てされたサブモジュール内の独立したベースプレート上に幾つかのグループで配置されている。サブモジュールは、モジュールハウジング内に平行に配置されている。これらのサブモジュールは、その電流定格に応じて十分にテスト可能である。ハウジング内に平行に配置されたサブモジュールの数を変えることによって、モジュールの全電流定格を変更できる。
請求項(抜粋):
-半導体チップ(1)が第1主電極によってベースプレート(2)に導電的に接続され、-これらの半導体チップは、第2主電極によってかつフレキシブルな接触要素(6)を介してカバープレート(3)に導電的に接続され、
-このカバープレート(3)は、フレキシブル接触要素を制限する固定ハウジング要素(4)に付着され、このカバープレート及びハウジング要素は1つのモジュールハウジングを形成する、
少なくとも1つの導電性のベースプレート(2),1つの導電性のカバープレート(3)及び複数の半導体チップ(1)から構成される電力半導体モジュールにおいて、
-半導体チップ(1)は、予備組み立てされ十分にテスト可能なサブモジュール内の独立したベースプレート(2)上に幾つかのグループで配置されていること、及び、
-ベースプレート(2)は、カバープレート(3)に対して可動であることを特徴とする電力半導体モジュール。
IPC (4件):
H01L25/07
, H01L25/18
, H02M7/06
, H02M7/12
FI (3件):
H01L25/04 C
, H02M7/06 Z
, H02M7/12 Z
Fターム (7件):
5H006BB02
, 5H006CA01
, 5H006CA07
, 5H006CA12
, 5H006CA13
, 5H006HA01
, 5H006HA07
引用特許:
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