絶縁ゲート型トランジスタおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-210173
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066416
出願日： 1993年08月25日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】アクティブ型液晶画像表示装置に用いられる絶縁ゲート型トランジスタを自己整合化して性能を向上させるとともに、製造工程の簡略化を図る。【構成】不純物を含む非晶質シリコン層を、ゲートパターンを利用した裏面露光で選択的マスク形成を行い、陽極酸化で自己整合的に不純物を含む酸化シリコン層に変換する。【効果】絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレインとなる不純物を含む非晶質シリコン層が、ゲートと平面的に重なる長さが短くなって寄生容量が低下し、表示画像の焼付けが防止されるとともに、プラズマCVD装置が1台で絶縁ゲート型トランジスタを作製することが確保され、かつ製造工程も短縮された。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板の一主面上に走査線を兼ね、ゲートとなる第1の金属層が選択的に形成され、ゲート絶縁層となる第1の絶縁層を介して不純物を含まない第1の非晶質シリコン層が前記ゲート上に形成され、前記第1の非晶質シリコン層上で前記ゲート上にゲートよりも細く自己整合的に形成された不純物を含む第2の絶縁層を除いた一対の不純物を含む第2の非晶質シリコン層をソース・ドレインとし、前記ソース・ドレインを含んで前記第1の絶縁層上に前記ゲートと重ならないようにソース・ドレイン配線となる第2の金属層が選択的に形成されていることを特徴とする絶縁ゲート型トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/1343 , G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-302438
特開平4-302438
特開昭64-011368

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