半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-267654
公開番号（公開出願番号）：特開平8-129882
出願日： 1994年10月31日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】【目的】記憶容量が大きく、かつSRAMと同等の速度で連続的なバースト動作が可能な半導体記憶装置を提供することである。【構成】ビット線対BL1,/BL1〜BL4m,/BL4mに対応して4m個の入出力レジスタ181〜184mを設ける。バースト読出動作ではメモリセルSMCから読出されたデータを入出力レジスタ181〜184mでラッチする。このとき、リフレッシュカウンタ38から行デコーダ12へリフレッシュアドレス信号refAddを行デコーダ12へ供給し、これにより1つのワード線に接続されたすべてのメモリセルSMCをリフレッシュする。そして、入出力レジスタにラッチされたデータは入出力バス201〜204を介してmビットずつ出力されるようにした。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルと、外部から供給された1つの外部アドレス信号に応答して前記複数のメモリセルのうち少なくとも2つのメモリセルを連続的にアクセスするバースト手段と、前記バースト手段によるアクセス中に前記複数のメモリセルのうちいずれかのメモリセルをリフレッシュするリフレッシュ手段とを備えた半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平2-013196
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-180870 出願人：松下電器産業株式会社
特開平2-021489

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