半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-283260
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121321
出願日： 1997年10月16日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【目的】ステッパマークがチップ領域内に形成される化合物半導体において、マークに多くの面積が割かないで済むようにして、面積の有効利用を図る。【構成】ストップ層(2)17、GaAs層18、ストップ層(1)19、コンタクト層20を有する基板の第1のマーク領域(図の右側)に、第1のマークを形成する。第2のマーク領域(図の左側)に、第2のマークを形成する。全面に酸化膜21を堆積し、フォトレジスト22cをマスクとして(e)、酸化膜をエッチングして、第1、第2のマーク領域上の酸化膜を除去する(f)。酸化膜21をマスクとしてGaAsをエッチングしてゲートリセスを形成すると共に、第1、第2のマーク領域のマークを除去する(g)。ゲート電極形成材料を堆積し、パターニングして、第2のマーク領域に第3のマークを形成する(h)。その後、第1のマーク領域に第4のマークを形成する。

請求項（抜粋）：

(1)半導体基板上の第1のマーク形成領域に第1のステッパマークを形成する工程と、(2)前記半導体基板上の第2のマーク形成領域に前記第1のステッパマークを基準として第2のステッパマークを形成する工程と、(3)前記第1のステッパマークを除去する工程と、(4)前記第1のマーク形成領域に第3のステッパマークを形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

アライメント・マークの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-035947 出願人：富士通株式会社
露光方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-000583 出願人：株式会社ニコン

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