有機金属気相成長装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-072721
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266173
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】窒化ガリウム系化合物等の半導体薄膜を高い基板温度において均一に効率良く成長させることが可能であり、装置費及び材料費の低コスト化が可能な量産用有機金属気相成長装置を提供することを目的としている。【解決手段】チャンバー60と、チャンバー60内に水平に対峙して配設された中心軸を同じとする円形の上板11及び下板12からなる反応管と、上板11又は下板12のいずれかの中央部に上板11又は下板12と垂直に配設されたガス導入管13と、上板11の下面の同一円周上に配設され複数の基板を薄膜成長面を下向きにして保持できる基板ホルダー16と、基板ホルダー16を加熱する発熱体50と、チャンバー60の側面に配設されたガス排出管80と、を備えた。

請求項（抜粋）：

チャンバーと、前記チャンバー内に水平に対峙して配設された中心軸を同じとする円形の上板及び下板からなる反応管と、前記上板又は前記下板のいずれかの中央部に前記上板又は前記下板と垂直に配設されたガス導入管と、前記上板の下面の同一円周上に配設され複数の基板を薄膜成長面を下向きにして保持できる基板ホルダーと、前記基板ホルダーを加熱する加熱手段と、前記チャンバーの側面に配設されたガス排出管と、を備えた有機金属気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平4-155918
特開平4-087323
薄膜気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-334387 出願人：日新電機株式会社

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