特許
J-GLOBAL ID：200903054116995580
結晶性薄膜形成方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
笹島 富二雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-128896
公開番号（公開出願番号）：特開2003-323823
出願日： 2002年04月30日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：
【要約】【課題】 金属成分が溶解された溶液を予熱雰囲気中で予熱して、加熱された基板に噴霧することによって、大型の基板に対しても良質な結晶性薄膜を形成しようとする結晶性薄膜形成方法及びその装置を提供することである。【解決手段】 金属成分が溶解された溶液を、加熱された基板1にスプレーノズル2で噴霧して塗布する際に、上記溶液を予熱雰囲気3を通過させて予熱するようにしたものである。これにより、噴霧時に基板1の温度の低下を招くことなく金属成分を基板1に付着させ、熱分解させ結晶化させることができ、大型基板1に対しても製膜後の熱処理をすることなく良質の結晶性薄膜を形成することができる。
請求項（抜粋）：
金属成分が溶解された溶液を、加熱された基板にスプレーノズルで噴霧して塗布する際に、前記溶液を予熱雰囲気中を通過させて予熱することを特徴とする結晶性薄膜形成方法。
IPC (2件)：
H01B 13/00 503
, H01L 21/288
H01B 13/00 503 B
, H01L 21/288 Z
4M104BB36
, 4M104DD51
, 4M104HH20
, 5G323BA02
, 5G323BB02
, 5G323BC01
