特許
J-GLOBAL ID：200903054118352708
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-300831
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135647
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 SRAMセルなどの半導体装置を低コストに高集積化する技術を提供する。【解決手段】 一対のCMOSインバータと転送用MOSFETからなる半導体装置において、一方の前記CMOSインバータを構成するnチャネルMOSFET7のドレインとpチャネルMOSFET8のドレインとを接続する第1メタル層(第1配線層)5と、他方の前記CMOSインバータを構成するnチャネルMOSFET7のドレインとpチャネルMOSFET8のドレインとを接続する第2メタル層(第2配線層)6とが、互いに異なる層であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
一対のCMOSインバータと転送用MOSFETからなる半導体装置において、一方の前記CMOSインバータを構成するnチャネルMOSFETのドレインとpチャネルMOSFETのドレインとを接続する第1配線層と、他方の前記CMOSインバータを構成するnチャネルMOSFETのドレインとpチャネルMOSFETのドレインとを接続する第2配線層とが、互いに異なる層であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/8244
, H01L 27/11
