半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-058818
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260934
出願日： 1999年03月05日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】複数個の半導体チップを積層し、チップ間の電気的接続をチップ内部を貫通して行う三次元構造のLSIモジュールでは、モジュールを構成する各LSIチップの表面と裏面の両方に互いに電気的に導通した導電材料の形成と表面と裏面とを接続する電極を別々に作製する必要があった。またバンプに使用する金属によっては圧着する必要がるため少なくとも2つのチップ同士ずつ積層していかなければならない。【解決手段】チップのスルーホールおよびパッド部分の表面および裏面にある電極部分に導電性材料を埋め込んだランドを形成し、チップを少なくとも2層以上重ねた後、下側チップ表面の該導電性材料と上側チップ裏面の該導電性材料を加熱により溶融することで接着し接続する。電極を形成する該導電性材料に半田あるいは低融点金属を用い電解または無電解メッキ法により形成する。電極がすでに形成されたチップを複数個それぞれ電極取り出しパッド部分を位置決めした状態で積層し、かつこれらを同時に加熱により溶融することで接着し接続する。

請求項（抜粋）：

複数の半導体チップが高さ方向に所定の間隔をもって積層されてなり、該チップの電極取り出しパッド部分の表面および裏面に該チップを貫通するスルーホールを通じて接続する電極をもち、該電極によりチップ相互間の接続が行われる構造を持つ半導体装置において、a)該チップの該スルーホールおよび該パッド部分の表面および裏面にある電極部分に導電性材料を埋め込んだランドを形成し、さらに電極部分の導電性材料を素子高さよりも厚く形成するb)該チップを少なくとも2層以上重ねた後、該下側チップ表面の該導電性材料と該上側チップ裏面の該導電性材料を加熱により溶融することで接着し接続することを特徴とした半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 25/00 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 25/00 A , H01L 21/88 J

Fターム (18件)：

5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH13 , 5F033MM30 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ16 , 5F033QQ37 , 5F033QQ53 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033RR04 , 5F033RR08 , 5F033SS11 , 5F033VV07 , 5F033XX00 , 5F033XX33 , 5F033XX34

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭60-160645
特開昭60-160645
特開昭63-156348

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