特許
J-GLOBAL ID：200903054161390478
単結晶薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志波 邦男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-079453
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250430
出願日： 1995年03月10日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【目的】 調整段階において勘や経験に頼ることなく、均一な膜厚分布を有する単結晶薄膜の製造を容易に達成することができる方法を提供する。【構成】 単結晶薄膜13を製造する前の調整段階で、自転可能な保持具14を自転させないで気相成長し、単結晶薄膜13の成長速度が原料ガス19の供給方向と平行な軸として保持具14上に仮想される中心軸に対して左右非対称になるように調整を行って成長条件を求めた後に該成長条件に基づいて単結晶薄膜13を製造する。
請求項（抜粋）：
反応容器内で自転する保持具上に載置された半導体単結晶基板に対して原料ガスを供給して該半導体単結晶基板上に単結晶薄膜を気相成長させる単結晶薄膜の製造方法において、前記単結晶薄膜を製造する前の調整段階で、前記保持具を自転させないで前記半導体単結晶基板上に単結晶薄膜を気相成長させて成長条件を求めた後に該成長条件に基づいて前記単結晶薄膜を製造することを特徴とする単結晶薄膜の製造方法。
引用特許：
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