特許

J-GLOBAL ID：200903054162823874

半導体装置の製造方法

発明者： 町田 克之 ,  村瀬 克実 ,  下山 展弘 ,  土屋 敏章
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-027516
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198690
出願日： 1992年01月20日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】 層間絶縁膜からの水分をブロッキングし、半導体素子のホットキャリア劣化を与えることのない半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 ゲート電極2としてポリシリコンを0.3μm,ゲート酸化膜3としてドライ酸化法により0.01〜0.02μm,配線金属6としてAlSiCuを0.5μmの厚さにそれぞれ形成する。また、第1の層間絶縁膜7および第3の層間絶縁膜9としてECRプラズマCVD法によるSiO2 膜を用い、それぞれ0.3μmおよび0.2μmの厚さに形成し、また、第2の層間絶縁膜8としてオゾンによるTEOSの分解反応を利用する常圧CVD法で形成されるオゾンTEOS-SiO2 膜を用いた。ここでECRプラズマCVD法とは、200°C以下の低温で高品質の絶縁膜を形成する方法である。

請求項（抜粋）：

半導体装置の層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記層間絶縁膜は、電子サイクロトロン共鳴法を用いたECRプラズマCVD法により第1の絶縁膜を形成し、引き続き前記第1の絶縁膜上に化学気相反応法もしくはゾル塗布法により第2の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-277750
  
• 特開昭63-037693
  
• 特開平3-152929