薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-049005
公開番号（公開出願番号）：特開平10-247733
出願日： 1997年03月04日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：

【要約】【課題】低抵抗で且つ信頼性の高い配線構造を、生産性や歩留まりを維持しつつ実現する。【解決手段】ゲート電極と信号配線との内の少なくとも一方を、モリブデンを主成分とする金属からなる下層膜6aとアルミニウムを主成分とする金属からなる上層膜6bとの積層構造とすることで、一括したウェットエッチング処理、エッチング形状の制御、および低い配線抵抗の実現を可能とした。

請求項（抜粋）：

基板上に半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース・ドレイン電極、および信号配線を設けてなる薄膜トランジスタであって、前記ゲート電極と前記信号配線とのうちの少なくとも一方は、モリブテンを主成分とする金属からなる下層膜と、アルミニウムを主成分とする金属からなり前記下層膜の上に積層された上層膜とを有していることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500

FI (4件)：

H01L 29/78 612 C , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 617 L , H01L 29/78 617 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平3-009569
薄膜半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-274600 出願人：ソニー株式会社

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