垂直型金属半導体マイクロ共振器による光検出装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外7名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-552450
公開番号（公開出願番号）：特表2003-520438
出願日： 2001年01月12日
公開日（公表日）： 2003年07月02日
要約：

【要約】垂直な金属半導体マイクロ共振器を備える光検出装置およびこの装置の製造方法。本発明によれば、入射光を検出するために、この光を吸収しない絶縁層2上に、半導体材料6を有する少なくとも一つの素子と、該素子を保持するための少なくとも二つの電極4とが形成されている。上記素子および電極ユニットは、上記光を吸収するのに適していて、特に、入射光用の伝播媒体ならびに絶縁層との上記ユニットの境界面の間で表面プラズモン・モードの共鳴を起こさせることにより、入射光に対して光の強度を増大させるように構成されている。このモードの共鳴は、電極のうちの少なくとも一つと素子との間の境界面内で起こり、このモードは、電極に平行な光の磁界成分により励起される。本発明は、光通信に利用することができる。

請求項（抜粋）：

伝播媒体(I、12)内を伝播する、予め定められた波長を有して入射する光(10)を検出するための光検出装置において、前記光を吸収しない電気的な絶縁層(2)を備え、この層の上に、半導体材料を有する少なくとも一つの素子(6)と、それぞれ相互に異なる電位にされるように設けられた少なくとも二つのバイアス電極(4)とを備え、前記電極は、前記素子を囲んでいて、前記素子および前記電極により形成された組が、前記入射光を吸収するのに適していて、前記素子および前記電極が、ほぼ平行六面体とされているとともに、同じ方向(D)に延在し、この方向と交差する方向に測られた前記電極および前記素子の寸法は、前記入射光に対して二つのモードの少なくとも一方を共鳴させて前記素子および前記電極によって形成される組の内部の光の強度が増加するように、前記予め定められた波長の関数として選択されていて、第1のモードは、前記組が前記絶縁層ならびに前記伝播媒体とともに共有している境界面の間で共鳴させられる表面プラズモン・モードとされていて、前記第1のモードの共鳴は、前記電極のうちの少なくとも一つと前記素子との間の境界面のところに生成され、前記第1のモードは、前記入射光に伴う磁界成分で、前記電極に平行な一成分により励起され、第2のモードは、前記二つの電極を備えて前記絶縁層に垂直な光導波路の横電気的なモードとされ、前記第2のモードは、前記入射光に伴う電界成分で、前記電極に平行な一成分により励起されるように構成されていることを特徴とする光検出装置。

IPC (3件)：

H01L 31/108 , H01L 27/14 , H01L 31/0264

FI (3件)：

H01L 31/10 C , H01L 31/08 L , H01L 27/14 J

Fターム (25件)：

4M118AA01 , 4M118AA10 , 4M118AB05 , 4M118CA05 , 4M118CB01 , 4M118CB02 , 4M118GA10 , 4M118GD15 , 5F049MA05 , 5F049MB07 , 5F049NA03 , 5F049NB01 , 5F049PA14 , 5F049SE05 , 5F049SS04 , 5F049SZ16 , 5F049WA01 , 5F088AA04 , 5F088AB07 , 5F088BA02 , 5F088BB01 , 5F088CB14 , 5F088FA05 , 5F088HA09 , 5F088LA01

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