特許
J-GLOBAL ID:200903054191058877

高生産性のモレキュラーシーブの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (9件): 山崎 行造 ,  杉山 直人 ,  白銀 博 ,  赤松 利昭 ,  奥谷 雅子 ,  尾首 亘聰 ,  内藤 忠雄 ,  常光 克明 ,  安藤 麻子
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-555251
公開番号(公開出願番号):特表2009-526740
出願日: 2007年01月29日
公開日(公表日): 2009年07月23日
要約:
ポアサイズが2から19Åの結晶性モレキュラーシーブの製造方法であって、(a)少なくとも1つの4価元素のイオン源の成分(Y)と、少なくとも1つの水酸基(OH-)源と、水とを含む混合物を調製し、混合物が固体成分を15wt%から50wt%含有するステップと、(b)混合物を撹拌しながら、重量時間生産量が0.005から1時間-1となる結晶化条件で処理して所望の結晶性モレキュラーシーブを形成し、結晶化条件に温度が200°Cから500°C、結晶化時間が100時間未満の条件が含まれるステップとを備える製造方法。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ポアサイズが2から19Åの結晶性モレキュラーシーブの製造方法であって、 (a)少なくとも1つの4価元素のイオン源の成分(Y)と、少なくとも1つの水酸基(OH-)源と、水とを含む混合物を調製し、前記混合物が固体成分を15wt%から50wt%含有するステップと、 (b)前記混合物を撹拌しながら、重量時間生産量が0.005から1時間-1となる結晶化条件で処理して所望の結晶性モレキュラーシーブを形成し、前記結晶化条件に温度が200°Cから500°C、結晶化時間が100時間未満の条件が含まれるステップとを備える製造方法。
IPC (9件):
C01B 39/00 ,  B01J 29/80 ,  C10G 47/16 ,  C10G 45/64 ,  C07C 2/66 ,  C07C 15/02 ,  B01J 29/70 ,  B01J 29/40 ,  B01J 29/035
FI (9件):
C01B39/00 ,  B01J29/80 M ,  C10G47/16 ,  C10G45/64 ,  C07C2/66 ,  C07C15/02 ,  B01J29/70 M ,  B01J29/40 M ,  B01J29/035 M
Fターム (59件):
4G073AA03 ,  4G073BA04 ,  4G073BB48 ,  4G073BD01 ,  4G073BD21 ,  4G073CZ07 ,  4G073CZ13 ,  4G073CZ27 ,  4G073CZ54 ,  4G073DZ01 ,  4G073FB12 ,  4G073FB26 ,  4G073FC27 ,  4G073GA03 ,  4G073GA08 ,  4G073GB02 ,  4G073UA04 ,  4G169AA02 ,  4G169AA08 ,  4G169BA07A ,  4G169BA07B ,  4G169BC16B ,  4G169BD05B ,  4G169CC04 ,  4G169CC08 ,  4G169DA06 ,  4G169EA01Y ,  4G169ZA06A ,  4G169ZA06B ,  4G169ZA11A ,  4G169ZA11B ,  4G169ZA22A ,  4G169ZA22B ,  4G169ZA36A ,  4G169ZA36B ,  4G169ZA45B ,  4G169ZB07 ,  4G169ZB08 ,  4G169ZB09 ,  4G169ZC02 ,  4G169ZC04 ,  4H006AA02 ,  4H006AC21 ,  4H006BA02 ,  4H006BA09 ,  4H006BA33 ,  4H006BA71 ,  4H006BA81 ,  4H006BA85 ,  4H006DA15 ,  4H006DA20 ,  4H006DA46 ,  4H006DA50 ,  4H006DA70 ,  4H029CA00 ,  4H029DA00 ,  4H039CA10 ,  4H039CA41 ,  4H039CF10
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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