特許
J-GLOBAL ID:200903054191058877
高生産性のモレキュラーシーブの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (9件):
山崎 行造
, 杉山 直人
, 白銀 博
, 赤松 利昭
, 奥谷 雅子
, 尾首 亘聰
, 内藤 忠雄
, 常光 克明
, 安藤 麻子
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-555251
公開番号(公開出願番号):特表2009-526740
出願日: 2007年01月29日
公開日(公表日): 2009年07月23日
要約:
ポアサイズが2から19Åの結晶性モレキュラーシーブの製造方法であって、(a)少なくとも1つの4価元素のイオン源の成分(Y)と、少なくとも1つの水酸基(OH-)源と、水とを含む混合物を調製し、混合物が固体成分を15wt%から50wt%含有するステップと、(b)混合物を撹拌しながら、重量時間生産量が0.005から1時間-1となる結晶化条件で処理して所望の結晶性モレキュラーシーブを形成し、結晶化条件に温度が200°Cから500°C、結晶化時間が100時間未満の条件が含まれるステップとを備える製造方法。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ポアサイズが2から19Åの結晶性モレキュラーシーブの製造方法であって、
(a)少なくとも1つの4価元素のイオン源の成分(Y)と、少なくとも1つの水酸基(OH-)源と、水とを含む混合物を調製し、前記混合物が固体成分を15wt%から50wt%含有するステップと、
(b)前記混合物を撹拌しながら、重量時間生産量が0.005から1時間-1となる結晶化条件で処理して所望の結晶性モレキュラーシーブを形成し、前記結晶化条件に温度が200°Cから500°C、結晶化時間が100時間未満の条件が含まれるステップとを備える製造方法。
IPC (9件):
C01B 39/00
, B01J 29/80
, C10G 47/16
, C10G 45/64
, C07C 2/66
, C07C 15/02
, B01J 29/70
, B01J 29/40
, B01J 29/035
FI (9件):
C01B39/00
, B01J29/80 M
, C10G47/16
, C10G45/64
, C07C2/66
, C07C15/02
, B01J29/70 M
, B01J29/40 M
, B01J29/035 M
Fターム (59件):
4G073AA03
, 4G073BA04
, 4G073BB48
, 4G073BD01
, 4G073BD21
, 4G073CZ07
, 4G073CZ13
, 4G073CZ27
, 4G073CZ54
, 4G073DZ01
, 4G073FB12
, 4G073FB26
, 4G073FC27
, 4G073GA03
, 4G073GA08
, 4G073GB02
, 4G073UA04
, 4G169AA02
, 4G169AA08
, 4G169BA07A
, 4G169BA07B
, 4G169BC16B
, 4G169BD05B
, 4G169CC04
, 4G169CC08
, 4G169DA06
, 4G169EA01Y
, 4G169ZA06A
, 4G169ZA06B
, 4G169ZA11A
, 4G169ZA11B
, 4G169ZA22A
, 4G169ZA22B
, 4G169ZA36A
, 4G169ZA36B
, 4G169ZA45B
, 4G169ZB07
, 4G169ZB08
, 4G169ZB09
, 4G169ZC02
, 4G169ZC04
, 4H006AA02
, 4H006AC21
, 4H006BA02
, 4H006BA09
, 4H006BA33
, 4H006BA71
, 4H006BA81
, 4H006BA85
, 4H006DA15
, 4H006DA20
, 4H006DA46
, 4H006DA50
, 4H006DA70
, 4H029CA00
, 4H029DA00
, 4H039CA10
, 4H039CA41
, 4H039CF10
引用特許:
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