半導体膜形成用基板及びそれを用いた半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-078671
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303442
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】薄膜結晶シリコン太陽電池等の半導体装置を簡便に安価に製造できるとともに特性の優れた半導体装置を得るための半導体膜形成用基板及びそれを用いた半導体装置を提供すること。【解決手段】上記目的を達成するために、本発明の半導体膜形成用基板は、基体1上に、アルミニウム,マグネシウム,及びカルシウムの少なくとも1種を含有する結晶酸化物層4、及び結晶シリコン層5,6を順次積層して成る。

請求項（抜粋）：

基体の主面上に、アルミニウム,マグネシウム,及びカルシウムの少なくとも1種を含有する結晶酸化物層と、結晶シリコン層とを順次積層して成り、前記結晶シリコン層上に半導体膜が被着形成される半導体膜形成用基板。

IPC (3件)：

H01L 31/04 , H01L 27/12 , H01L 29/786

FI (3件)：

H01L 31/04 H , H01L 27/12 D , H01L 29/78 626 C

引用特許：

審査官引用 (7件)

多結晶シリコンデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-050844 出願人：キヤノン株式会社
光電変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-078606 出願人：京セラ株式会社
光電変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-078607 出願人：京セラ株式会社

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