特許

J-GLOBAL ID：200903054200032916

半導体レーザ

発明者： 小濱 剛孝 ,  舘野 功太 ,  大礒 義孝 ,  黒川 隆志
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 吉田 精孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-009858
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205246
出願日： 1996年01月24日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】 p型基板上に作成可能な、極めて特性の優れた半導体レーザを提供すること。【解決手段】 p型GaAs基板21上にMOCVD法によって炭素ドープ、キャリア濃度1×1018cm2 程度の5対のp型AlAs/GaAs超格子層(交互層)22を形成し、さらにクラッド層23、活性層24、クラッド層25、コンタクト層26を順次形成し、最後にn電極28及びp電極29を形成することにより、成長中に基板から拡散するZnをp型AlAs/GaAs超格子層22で捕獲させ、特性劣化を防ぐ。

請求項（抜粋）：

p型GaAs基板もしくはp型AlGaAs基板上に作成される半導体レーザにおいて、半導体レーザを構成する結晶層のうち最も基板に近い層と基板との間に、数対のAl<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>As/AlAs(0≦x<1)からなる交互層を設けるとともに、該交互層におけるp型ドーパントとして炭素を用いたことを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザ装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-222855   出願人：富士通株式会社
• 半導体多層膜反射鏡およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-173877   出願人：大同特殊鋼株式会社