半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：林敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-143903
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354649
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【目的】半導体集積回路装置の静電破壊耐量の向上を目的とする。【構成】 Nチャネル型MOSトランジスタのドレイン領域のN型不純物表面濃度をゲート電極端子のゲート電極方向に最大で5E18/cm3 以上あり面方向で5E18/cm3 以下の部分にキンクを持たない単調の濃度プロファイルとすることでESD耐量の高いICを実現する。

請求項（抜粋）：

集積回路の外部へ信号を出力する外部端子と、前記外部端子に接続され、第1導電型半導体基板表面に将来ゲート電極が形成される領域より少なくとも将来ドレイン領域と隣り合う部分を開けるような小さい領域にてパターニングしたフォトレジストを形成し、前記パターニングしたフォトレジストをマスクとして第1の第2導電型不純物をイオン注入し、次に熱処理を行い、しかる後、ゲート酸化膜を介して所定の位置に前記ゲート電極を形成し、さらに前記ゲート電極をマスクとして、第2の第2導電型不純物をイオン注入し、更に第3の第2導電型不純物を導入し、更にアニールした静電気保護素子である第1のMOSトランジスタと、前記外部端子に接続され、前記第1のMOSトランジスタのフォトレジストを形成する際に、レジスト膜で覆い、後の工程を前記第1のMOSトランジスタと同様に形成した第2のMOSトランジスタより成ることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 27/08 102 F , H01L 27/04 H , H01L 29/78 301 K

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-274734
特開昭61-010277
入力保護回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-351704 出願人：三菱電機株式会社

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