特許

J-GLOBAL ID：200903054223775916

半導体装置

発明者： 美濃 辰治 ,  松田 宏夢 ,  伊藤 修二 ,  岩本 和也 ,  樋口 洋 ,  宇賀治 正弥 ,  柴野 靖幸
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-323358
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133420
出願日： 2001年10月22日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】固体電解質二次電池の充電および放電を担うイオンの半導体基板への拡散を防ぐ信頼性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板の上に固体電解質二次電池が形成された半導体装置であって、固体電解質二次電池直下の半導体基板aがN型の不純物をドープした拡散層gを有する。固体電解質二次電池の負極に対する拡散層gの電位差は、固体電解質二次電池の負極に対する正極の電位差と同じか、またはそれ以上の電位差で固定されている。半導体基板aと固体電解質二次電池の接する部分にバリア層hを有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に固体電解質二次電池が形成された半導体装置であって、前記固体電解質二次電池直下の半導体基板が、N型の不純物をドープした基板であること、またはN型の不純物をドープした拡散層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01M 4/70 ,  H01M 10/40

FI (3件)：

H01M 4/70 Z ,  H01M 10/40 B ,  H01L 27/04 A

Fターム (30件)：

5F038BB10 ,  5F038EZ20 ,  5H017AA04 ,  5H017AS01 ,  5H017AS10 ,  5H017BB01 ,  5H017BB08 ,  5H017BB16 ,  5H017CC01 ,  5H017DD03 ,  5H017EE01 ,  5H017HH04 ,  5H029AJ12 ,  5H029AK02 ,  5H029AK03 ,  5H029AK05 ,  5H029AL03 ,  5H029AL11 ,  5H029AL12 ,  5H029AM11 ,  5H029BJ04 ,  5H029BJ12 ,  5H029CJ02 ,  5H029CJ15 ,  5H029CJ22 ,  5H029CJ24 ,  5H029DJ07 ,  5H029DJ17 ,  5H029EJ01 ,  5H029HJ07

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体基板搭載型二次電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-102625   出願人：日本電気株式会社