特許

J-GLOBAL ID：200903054226581519

固体撮像装置の製造方法

発明者： 佐野 義和 ,  小倉 敏明 ,  松田 祐二 ,  友田 尚紀 ,  市川 美千代
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-330477
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156486
出願日： 1998年11月20日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：

【要約】【課題】 固体撮像装置のオンチップマイクロレンズの耐熱性には限界があるため、反射防止膜は低温で形成される。この反射防止膜の付着力を改善し、クラックの発生を防止する。【解決手段】 各受光部に対応するようにマイクロレンズが形成されたシリコンウェハ14に、蒸着源15から蒸着材料を蒸発させて生じた蒸気流20に電子銃16から電子ビーム21を照射することにより、反射防止膜を形成する蒸気化された材料を活性化する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に受光部を形成し、前記受光部の上方に前記受光部に対応するようにマイクロレンズを形成し、蒸着工程により前記マイクロレンズ上に反射防止膜を形成する固体撮像装置の製造方法であって、前記蒸着工程において、前記反射防止膜を形成する蒸気化した材料に電子ビームを照射することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/14 ,  H01L 21/314 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (4件)：

H01L 27/14 D ,  H01L 21/314 A ,  H04N 5/335 V ,  H01L 31/10 Z

Fターム (30件)：

4M118AA01 ,  4M118AA08 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA04 ,  4M118CA34 ,  4M118CA40 ,  4M118DA28 ,  4M118EA01 ,  4M118EA07 ,  4M118GB11 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024AA01 ,  5C024CA12 ,  5C024CA31 ,  5C024FA01 ,  5C024FA18 ,  5C024GA11 ,  5F049NB05 ,  5F049PA06 ,  5F049QA18 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ03 ,  5F049TA12 ,  5F058BA20 ,  5F058BC20 ,  5F058BF17 ,  5F058BJ03

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-259256
  
• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-307952   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭61-210175
  
• 特開平4-223371
  
• 特開平4-226073