特許
J-GLOBAL ID：200903054232037766
半導体装置とその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-253372
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098183
出願日： 1996年09月25日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】 動作耐圧の向上を可能とする半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置は、ゲート電極4から当該ゲート電極4の他端から離間され、かつ低濃度のN-型ドレイン拡散層2に含まれる高濃度のN+型ドレイン拡散層6間にまたがる領域に中濃度のN型層7を有するものである。また、本発明の半導体装置の製造方法は、低濃度のN-型ドレイン拡散層2を形成した後にゲート絶縁膜3を介してゲート電極4を形成し、該ゲート電極4の一端に隣接する高濃度のN+型ソース拡散層5と、ゲート電極4の他端から離間され、かつ前記N-型ドレイン拡散層2に含まれる高濃度のN+型ドレイン拡散層6とを形成する。そして、少なくとも前記ゲート電極4の他端から前記N-型ドレイン拡散層2間にまたがる領域に中濃度のN型層7を形成するものである。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の一端に隣接する高濃度の逆導電型ソース拡散層と、チャネル領域を介して前記ソース拡散層と対向して形成された低濃度の逆導電型ドレイン拡散層と、前記ゲート電極の他端から離間され、かつ前記低濃度の逆導電型ドレイン拡散層に含まれる高濃度の逆導電型ドレイン拡散層と、少なくとも前記ゲート電極から前記高濃度の逆導電型ドレイン拡散層間にまたがる領域に形成された中濃度の逆導電型層とを具備することを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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