薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-287737
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148686
出願日： 1994年11月22日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】ドレイン耐圧を含めた基本特性が優れたゲート長が短かいトップ・ゲート型TFTの構造および製造方法を提供する。【構成】チャネル領域103acのシリコンの未結合手は、ゲート酸化膜104aとチャネル領域103acとの界面近傍のシリコンの未結合手のみが水素で終端している。

請求項（抜粋）：

基板表面を覆う絶縁膜表面に設けられた一導電型の多結晶シリコン膜からなる多結晶シリコン膜パターンと、該多結晶シリコン膜パターンに設けられたチャネル領域,逆導電型のソース領域およびドレイン領域と、ゲート酸化膜を介して該チャネル領域上に設けられたゲート電極と、該ゲート電極および該多結晶シリコン膜パターンを覆う層間絶縁膜と、該層間絶縁膜に設けられコンタクト孔を介してそれぞれ該ソース領域および該ドレイン領域に接続される金属電極とを有するトップ・ゲート型の薄膜トランジスタにおいて、前記層間絶縁膜が、ノンドープの酸化シリコン膜と導電型不純物がドープされた酸化シリコン系の膜との積層膜からなることと、前記ゲート酸化膜と前記チャネル領域との界面近傍の該チャネル領域のシリコンの未結合手と、前記ソース領域の少なくとも一部のシリコンの未結合手と、前記ドレイン領域の少なくとも一部のシリコンの未結合手とが水素で終端していることとを併せて特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500

FI (2件)：

H01L 29/78 627 E , H01L 29/78 618 Z

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平2-072669
特開昭59-002352
特開昭60-175458

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