炭化珪素半導体素子とその製造法及び用途

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-094770
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288500
出願日： 1995年04月20日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】高耐圧のプレーナー型p-n接合を有する炭化珪素半導体素子とその形成方法を提供する。【構成】プレーナー型p-n接合を有する炭化珪素半導体素子のプレーナー型p-n接合の端部を電界集中を緩和した薄型偏平形状にした。ホトレジスト膜のマスクとイオン注入マスク膜との特定の密着性処理後にSiO2 膜の等方エッチングによって形成されたイオン注入マスクを通してイオン注入p-n接合を形成した。

請求項（抜粋）：

プレーナー型p-n接合を有する炭化珪素半導体素子において、前記p-n接合におけるp領域又はn領域の断面形状が平行部の端点から表面までの垂直距離より前記端点から表面に交わる点までの距離が大きい形状を有することを特徴とする炭化珪素半導体素子。

IPC (17件)：

H01L 29/06 , H01L 21/266 , H01L 21/82 , H01L 27/00 301 , H01L 21/8222 , H01L 27/06 , H01L 21/8224 , H01L 27/082 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 29/43 , H01L 29/872 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/74 , H01L 29/78 , H01L 29/861

FI (14件)：

H01L 29/06 , H01L 27/00 301 B , H01L 21/265 M , H01L 21/82 A , H01L 27/06 101 D , H01L 27/08 101 V , H01L 27/10 601 , H01L 29/46 F , H01L 29/48 F , H01L 29/48 Z , H01L 29/72 , H01L 29/74 G , H01L 29/78 301 B , H01L 29/91 D

前のページに戻る