半導体記憶装置及び記憶システム

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-302335
公開番号（公開出願番号）：特開平10-003792
出願日： 1996年10月29日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】書き込みに要する時間を短縮することができる多値記憶の半導体記憶装置の提供。【解決手段】 “1”〜“4”までの4値をしきい値の違いで記憶するメモリセルを備えた多値記憶の半導体記憶装置において、第1の書き込み動作においてメモリセルは、“L”の論理レベルが入力すると“1”状態になり、“H”の論理レベルが入力すると“2”状態になり、第1の書き込み動作の結果“1”状態であるメモリセルは第2の書き込み動作において、“L”の論理レベルが入力すると“1”状態のままになり、“H”の論理レベルが入力すると“3”状態になり、第1の書き込み動作の結果“2”状態であるメモリセルは第2の書き込み動作において、“L”の論理レベルが入力すると“2”状態のままになり、“H”の論理レベルが入力すると“4”状態になる。

請求項（抜粋）：

“1”状態は第1のしきい値レベルを有し、“2”状態は第2のしきい値レベルを有し、“3”状態は第3のしきい値レベルを有し、“i”状態(iはn以下の自然数であり、nは3以上の自然数)は第iのしきい値レベルを有するようなn値を記憶するメモリセルを備えた半導体記憶装置において、メモリセルが“1”状態,“2”状態,...,“m-1”状態,“m”状態(mは2以上の自然数)のいずれかを保持する場合に、メモリセルの外部から入力する書き込みデータとメモリセルが保持するデータに基づいて、前記メモリセルを“1”状態,“2”状態,...,“k-1”状態,“k”状態(kはmより大きい自然数)のいずれかにすることを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-147671 出願人：株式会社東芝
特開昭62-006493

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