特許

J-GLOBAL ID：200903047572329595

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 作井 康司 ,  竹内 健 ,  大内 和則 ,  舛岡 富士雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-147671
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018018
出願日： 1994年06月29日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 書込み確認読出し動作や書込みパルスの立上げ,立下げ、消去確認読出し動作や消去パルスの立上げ,立下げを高速化させ、高速書込み、高速消去を可能としたEEPROMを提供すること。【構成】 電気的書替え可能な不揮発性メモリセルを用いたEEPROMにおいて、同一チップ上に形成された不揮発性メモリセルのアレイを2つに分割し、分割した各々のサブアレイARYl ,ARYr で、同一ワード線に接続されたメモリセルに対して同時にデータ書込みを行い、かつ一方のサブアレイでデータ書込み動作を行っている間に、他方のサブアレイで書込み確認読出し動作を行うことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

同一チップ上に形成された不揮発性メモリセルのアレイを複数に分割し、分割した複数のサブアレイの少なくとも2つで同時にデータ書込み又は消去を行い、かつ任意のサブアレイのデータ書込み又は消去のタイミングに対し、別のサブアレイのデータ書込み又は消去のタイミングをずらすようにしたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

H01L 27/115 ,  G11C 16/06

FI (3件)：

H01L 27/10 434 ,  G11C 17/00 309 Z ,  G11C 17/00 510 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-248150   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平4-038700
  
• 不揮発性メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-043566   出願人：株式会社日立製作所