特許

J-GLOBAL ID：200903054264693568

光制御装置および画像表示装置

発明者： 徳永 博之 ,  古藤 誠
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 山下 穣平 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-068374
公開番号（公開出願番号）：特開2008-176262
出願日： 2007年03月16日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：

【課題】材料費、工程数を低減しその結果歩留まりを向上させ、コストを低減する。【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと電気的に接続される電極104を有する光制御素子と、を備えた光制御装置であって、薄膜トランジスタの半導体領域102と画素電極104とが同一の半導体層からなり、同一の半導体層はIn,Ga,Znから選択される元素の少なくとも一つを含む酸化物からなる非晶質層である。半導体層の画素電極となる部分は、半導体領域よりも抵抗率が低い。また、保持電荷蓄積容量部にも抵抗率の低い領域を用いることができる。加えて、電極を延設し配線として用いることもできる。光制御素子はエレクトロルミネッセンス素子、液晶セル、電気泳動型粒子セル等を用いることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタと電気的に接続される電極を有する光制御素子と、を備えた光制御装置であって、 前記薄膜トランジスタの半導体領域と前記電極とが同一層の半導体層からなり、前記半導体層はIn,Ga,Znから選択される元素の少なくとも一つを含む酸化物からなる非晶質層であることを特徴とする光制御装置。

IPC (9件)：

G09F 9/30 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/320 ,  H01L 51/50 ,  G02F 1/167 ,  G02F 1/17 ,  G02F 1/136

FI (10件)：

G09F9/30 338 ,  H01L29/78 612Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618F ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/88 B ,  H05B33/14 A ,  G02F1/167 ,  G02F1/17 ,  G02F1/1368

Fターム (108件)：

2H092HA06 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB61 ,  2H092MA05 ,  2H092MA13 ,  2H092MA27 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107DD46X ,  3K107DD46Y ,  3K107EE04 ,  4M104AA04 ,  4M104AA06 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD73 ,  4M104DD88 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF04 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG19 ,  4M104HH20 ,  5C094AA10 ,  5C094AA42 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094BA75 ,  5C094DA13 ,  5C094FB14 ,  5C094FB19 ,  5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033HH31 ,  5F033HH35 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ61 ,  5F033QQ68 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033SS08 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34 ,  5F110AA04 ,  5F110AA05 ,  5F110AA09 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK11 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK26 ,  5F110HK27 ,  5F110HK33 ,  5F110HK39 ,  5F110NN73

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-264885   出願人：科学技術振興事業団
• 特公平1-42146号公報
  
• 特許第3769389号明細書