半導体材料をドープする方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-379598
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223174
出願日： 2000年12月14日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】半導体材料をレーザードープするための改善された方法およびシステムを提供する。【解決手段】窒化燐がドーパントソースとして用いられる。窒化燐は、ドープしようとする半導体の一定領域にごく接近して配置される。レーザー光のパルスが窒化燐を分解すると共に、ドープしようとする半導体の前記領域を簡単に融解するため、窒化燐からのドーパント原子を半導体中に取り込むことができる。

請求項（抜粋）：

大気中で安定であるドーパント含有化合物の層を半導体表面にごく接近して配置する操作と、ドーパント含有化合物の前記層からの原子を用いて前記半導体をドープするためにレーザーを当てる操作と、を含む半導体をドープする方法。

IPC (5件)：

H01L 21/225 , H01L 21/205 , H01L 21/22 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/225 D , H01L 21/205 , H01L 21/22 E , H01L 29/78 616 L

引用特許：

審査官引用 (6件)

化学元素の受容材料中への導入方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-132630 出願人：ゼロックスコーポレイション
特開平3-159250
特公昭44-024379

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