特許
J-GLOBAL ID：200903054280222575
有機エレクトロルミネッセンス素子及びパネルの製造方法と製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-204006
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085164
出願日： 2000年07月05日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 リーク電流が少ない、有機エレクトロルミネッセンス素子と、該素子を利用したELパネルの製造方法を提供することが本発明の課題である。【解決手段】 基板上に、A)第一の電極を成膜する工程と、B)該第一の電極上に発光層を含む一層以上の有機化合物薄膜層を積層する工程と、C)該有機化合物薄膜層上に第二の電極を積層する工程と、を少なくとも有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、工程B及びCと、工程BとCとの間と、工程C終了後、基板温度が室温となるまでの間と、における該基板温度が70°C以下であり、かつ、温度変化速度の絶対値が1.5°C/sec以内である有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
請求項（抜粋）：
基板上に、A)第一の電極を成膜する工程と、B)該第一の電極上に発光層を含む一層以上の有機化合物薄膜層を積層する工程と、C)該有機化合物薄膜層上に第二の電極を積層する工程と、を少なくとも有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、工程B及びCと、工程BとCとの間と、工程C終了後、基板温度が室温となるまでの間と、における該基板温度が70°C以下であり、かつ、温度変化速度の絶対値が1.5°C/sec以内である有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
IPC (6件)：
H05B 33/10
, C23C 14/06
, C23C 14/08
, C23C 14/14
, C23C 14/22
, H05B 33/14
H05B 33/10
, C23C 14/06 Q
, C23C 14/08 D
, C23C 14/14 B
, C23C 14/22 C
, H05B 33/14 A
