特許
J-GLOBAL ID:200903054288045788

光電変換装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小森 久夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-233250
公開番号(公開出願番号):特開平7-094764
出願日: 1993年09月20日
公開日(公表日): 1995年04月07日
要約:
【要約】【目的】取扱い時および外部応力等の作用によるシリコンセルの割れやクラックの発生率を低減する。【構成】(100)面を受光面とするシリコンセル1の表面における外縁部近傍に無反射パターン2を形成しない部分9を構成するとともに、シリコン基板5の劈開方向<010>,<001>に一致しない4辺によりシリコンセル1の表面を構成する。シリコンセル1の端部において充分な厚みを確保することによってこの部分からの割れやクラックの発生を防止するとともに、溶接方向と劈開方向とが一致しないようにして溶接歪みの蓄積を防止する。
請求項(抜粋):
単一または複数の矩形のシリコンセルにより構成され、各シリコンセルの受光面に微細な立体形状の無反射パターンを連続して形成した光電変換装置において、シリコンセルの表面の外縁部の所定範囲に無反射パターンを形成せず、シリコンセルの劈開方向に一致しない4辺によりシリコンセルの表面を構成したことを特徴とする光電変換装置。
引用特許:
審査官引用 (1件)

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