磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：吉武賢次 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-078420
公開番号（公開出願番号）：特開2009-231753
出願日： 2008年03月25日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：

【課題】書き込み電流を可及的に低減させるとともに高速に書き込むことができ、かつ大容量化を実現することのできる磁気抵抗効果素子及び磁気メモリを提供することを可能にする。【解決手段】磁化が膜面に対して略垂直で不変の第1の強磁性層2と、磁化が膜面に対して略垂直でかつ可変の第2の強磁性層6と、第1の強磁性層と第2の強磁性層との間に設けられる第1の非磁性層4と、第2の強磁性層に対して第1の非磁性層と反対側に設けられ、磁化が膜面に略平行でかつ可変の第3の強磁性層10と、第2の強磁性層と第3の強磁性層との間に設けられる第2の非磁性層8と、を備え、第1の強磁性層と第3の強磁性層との間で膜面に略垂直な方向に電流を流すことにより、スピン偏極した電子を前記第2の強磁性層に作用させるとともに、第2の強磁性層から第2の非磁性層を通って第3の強磁性層に作用させて第3の強磁性層の磁化に歳差運動を誘起し、この歳差運動に応じた周波数のマイクロ波磁場が第2の強磁性層に印加される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁化が膜面に対して略垂直で不変の第1の強磁性層と、磁化が膜面に対して略垂直でかつ可変の第2の強磁性層と、前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層との間に設けられる第1の非磁性層と、前記第2の強磁性層に対して前記第1の非磁性層と反対側に設けられ、磁化が膜面に略平行でかつ可変の第3の強磁性層と、前記第2の強磁性層と前記第3の強磁性層との間に設けられる第2の非磁性層と、を備え、前記第1の強磁性層と前記第3の強磁性層との間で膜面に略垂直な方向に電流を流すことにより、スピン偏極した電子を前記第2の強磁性層に作用させるとともに、前記第2の強磁性層から前記第2の非磁性層を通って前記第3の強磁性層に作用させて前記第3の強磁性層の前記磁化に歳差運動を誘起し、この歳差運動に応じた周波数のマイクロ波磁場が前記第2の強磁性層に印加されることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 29/82

FI (4件)：

H01L43/08 Z , H01L43/08 U , H01L27/10 447 , H01L29/82 Z

Fターム (40件)：

4M119AA03 , 4M119AA05 , 4M119AA11 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119CC10 , 4M119DD02 , 4M119DD05 , 4M119DD09 , 4M119DD17 , 4M119DD22 , 4M119DD24 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE23 , 4M119EE27 , 4M119HH01 , 4M119HH04 , 4M119HH07 , 4M119KK02 , 4M119KK10 , 5F092AA03 , 5F092AA04 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AC21 , 5F092AC30 , 5F092AD23 , 5F092AD24 , 5F092AD25 , 5F092AD30 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB43 , 5F092BC03 , 5F092BC13 , 5F092BC43 , 5F092BC50 , 5F092BE14

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6,256,223号明細書

審査官引用 (3件)

記憶機能を有する磁気スピン極性化および磁化回転装置および当該装置を用いた書き込み方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-375090 出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク
磁気抵抗素子及び磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-044176 出願人：株式会社東芝
磁気センサー
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-240377 出願人：株式会社東芝

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