特許
J-GLOBAL ID：200903054332213529
SiCショットキーダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-260416
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085704
出願日： 1999年09月14日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】電界強度緩和層からの少数キャリアの注入を防止してリカバリー電流を低減したSiCショットキーダイオードを得る。【解決手段】第1導電形のSiC半導体基体1と、前記SiC半導体基体の一方の主表面に所定間隔で前記SiC半導体基体とpn接合を形成するように形成した第2導電形の半導体層71,73と、前記SiC半導体基体の一方の主表面とショットキー接触するショットキー金属5と、前記SiC半導体基体の他方の主表面とオーム性接触するカソード電極6からなるSiCショットキーダイオードにおいて、前記第2導電形の半導体層72と前記ショットキー金属5との接触面はショットキー接触である
請求項（抜粋）：
第1導電形のSiC半導体基体と、該SiC半導体基体の一方の主表面に所定間隔で前記SiC半導体基体とpn接合を形成するように形成した第2導電形の半導体層と、前記SiC半導体基体の前記一方の主表面とショットキー接触するショットキー金属と、前記SiC半導体基体の他方の主表面とオーム性接触するカソード電極からなるSiCショットキーダイオードにおいて、前記第2導電形の半導体層と前記ショットキー金属との接触面はショットキー接触であることを特徴とするSiCショットキーダイオード。
Fターム (13件)：
4M104AA10
, 4M104BB14
, 4M104CC03
, 4M104DD26
, 4M104DD43
, 4M104DD81
, 4M104FF02
, 4M104FF10
, 4M104FF13
, 4M104FF35
, 4M104GG03
, 4M104HH18
, 4M104HH20
