特許

J-GLOBAL ID：200903054338589350

半導体装置の製造方法

発明者： 曽谷 直哉 ,  長谷川 勲
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-369431
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168646
出願日： 2001年12月04日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：

【要約】【課題】結晶欠陥の低減された巨大な結晶粒または単結晶を高歩留まり、低コストおよび高スループットで形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】この半導体装置の製造方法は、ガラス基板1上に非晶質シリコン膜2を形成する工程と、ガラス基板1上に吸収膜4を形成する工程と、吸収膜4に連続発振型のYAGレーザビーム100を照射することにより吸収膜4を発熱させ、その熱を利用して非晶質シリコン膜2を溶融した後結晶化する工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

基板上に非晶質膜および微結晶膜のうちのいずれかを形成する工程と、前記基板上に吸収膜を形成する工程と、前記吸収膜に電磁波を連続的に照射することにより前記吸収膜を発熱させ、その熱を利用して前記非晶質膜および前記微結晶膜のうちのいずれかを溶融した後結晶化する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (50件)：

2H092KA02 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092MA29 ,  2H092NA13 ,  2H092NA24 ,  2H092NA29 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA22 ,  5F052AA24 ,  5F052BA07 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB04 ,  5F052BB05 ,  5F052BB06 ,  5F052CA07 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052EA02 ,  5F052EA03 ,  5F052EA04 ,  5F052EA06 ,  5F052EA11 ,  5F052EA13 ,  5F052JA01 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE50 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ13 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP11 ,  5F110PP31 ,  5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-063019
  
• 特開昭62-132311
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-361189   出願人：三洋電機株式会社