特許

J-GLOBAL ID：200903054354617690

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： 上久保 雅規 ,  三池 祥五
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-069310
公開番号（公開出願番号）：特開2000-268584
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 製造業者側でフラッシュメモリとワンタイムメモリのいずれとして出荷するかを選択することができ、一度ワンタイムメモリとして出荷したものは再度フラッシュメモリとして使用するべく変更することは不可能な不揮発性メモリを提供すること。【解決手段】 不揮発性メモリが、その外部より内部データ消去禁止の命令を受けると、これによって内部の不揮発性メモリ内に設けられた所定フラグをある値に設定して保持しておき、また、この不揮発性メモリは本不揮発性メモリのパッケージング後は内容を消去することが不可能なために、このデータ消去禁止/許可のフラグをパッケージング後に、使用者側で値を変更することは不可能である様な回路構成を持つ。

請求項（抜粋）：

データ内容の消去を禁止する消去禁止回路を備えた不揮発性半導体記憶装置において、上記消去禁止回路は、上記不揮発性半導体記憶装置外部よりデータ消去禁止の命令が一度与えられると、これによってデータ消去を固定的に禁止することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (7件)：

G11C 16/02 ,  G06F 12/14 310 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

G11C 17/00 612 Z ,  G06F 12/14 310 F ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

Fターム (24件)：

5B017AA02 ,  5B017BA04 ,  5B017BB03 ,  5B017BB05 ,  5B017BB10 ,  5B017CA12 ,  5B017CA14 ,  5B017CA15 ,  5B025AA00 ,  5B025AB00 ,  5B025AC00 ,  5B025AD08 ,  5B025AE00 ,  5F001AD04 ,  5F001AE02 ,  5F001AE08 ,  5F001AE40 ,  5F001AG40 ,  5F001AH07 ,  5F083ER22 ,  5F083GA15 ,  5F083GA16 ,  5F083GA30 ,  5F083LA10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• EEPROMプログラミング回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-059365   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 書き替え可否判別機能付き不揮発性メモリ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-033786   出願人：株式会社日立製作所
• EEPROM回路、記憶装置およびICカード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-018267   出願人：松下電子工業株式会社