特許

J-GLOBAL ID：200903054382197230

珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 畠山 潤 ,  武田 隆信
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (3件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-148656
公開番号（公開出願番号）：特開2004-352743
出願日： 2003年05月27日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【解決手段】一般式(1)で表される繰り返し単位と、酸によってアルカリ溶解性が向上する単位とを含む珪素含有高分子化合物。【化1】(式中、R1はH又はアルキル基、R2は単結合又は(-SiR10R11-R12-)bで表される2価の連結基であり、R3〜R9はHは又はアルキル基、R10、R11はアルキル基、R12は単結合、O又はアルキレン基、aは正数、bは1〜20の整数。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、300nm以下の波長における感度、解像性、酸素プラズマエッチング耐性に優れている。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される繰り返し単位と、酸によってアルカリ溶解性が向上する単位とを含むことを特徴とする珪素含有高分子化合物。

IPC (4件)：

C08F230/08 ,  G03F7/039 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

FI (4件)：

C08F230/08 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/075 511 ,  H01L21/30 502R

Fターム (43件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB33 ,  2H025CB34 ,  2H025CB45 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AC02R ,  4J100AC22R ,  4J100AC26R ,  4J100AK32P ,  4J100AL34R ,  4J100AL44R ,  4J100AM07R ,  4J100AP16P ,  4J100AR31Q ,  4J100AR32Q ,  4J100AR36Q ,  4J100BA02P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15Q ,  4J100BA80P ,  4J100BA81P ,  4J100BB07Q ,  4J100BC03Q ,  4J100CA05 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 次世代リソグラフィー用の高分解能レジスト
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-572502   出願人：ユニバーシティオブノースカロライナアットシャルロット, ユニバーシティオブコネチカット, ゴンサルベスケネスイー.
• ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-267429   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-056536   出願人：信越化学工業株式会社