パワーMOSFETダイと、小型感知MOSFETを備えた制御および保護回路ダイとを有するハイブリッドパッケージ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-189210
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015655
出願日： 2000年06月23日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】主パワーダイより小さいが、パワーデバイスの同等の熱応答を有する一体化した制御および温度感知ダイを備えたパワー半導体デバイスを提供する。【解決手段】パワーMOSFETダイおよび論理保護回路ダイが、共通のリードフレームパッド上に実装される。論理保護回路ダイは、パワーMOSFETと並列に接続されるMOSFETを含むが、パワーMOSFETより小さく、パワーMOSFETの電力の所定の割合で電力を放散する。論理保護回路ダイはまた、MOSFETの近くに隣接していて、MOSFETの温度を決定する温度センサも含む。このダイは、リードフレームの温度を決定するためにMOSFETから離れて配置された別の温度センサも含む。パワーMOSFETの温度は、2つのセンサによって測定された温度と2つのMOSFETによって放散された電力の比から決定できる。

請求項（抜粋）：

主パッド領域および絶縁樹脂封入物を有する導電性リードフレームを含むパッケージに収納された半導体デバイスであって、それぞれの電極を含む対向する表面を有し、第1の半導体デバイスを含む第1の半導体ダイと、少なくとも1つが、少なくとも1つの電極を含む対向する表面を有し、その一部に、前記第1の半導体デバイスの熱応答に対応するような第2の半導体デバイスを含む第2の半導体ダイと、前記第2の半導体デバイスに隣接した位置にある前記第2の半導体ダイ上に配置された第1の熱センサと、前記第2の半導体デバイスから前記第1の熱センサより離れた位置にある前記第2の半導体ダイ上に配置された第2の熱センサとを備え、前記第1および第2の半導体ダイのそれぞれの前記対向する表面の1つが前記主パッド領域の頂部に配置され、かつ前記主パッド領域と熱的に接触し、互いから横方向に間隔が設けられ、前記第1の半導体ダイの少なくとも前記1つの対向する表面が前記主パッド領域と電気的に接触し、前記第1および第2の半導体デバイスが並列に接続されるように、前記第1および第2の半導体ダイの前記対向する表面の反対側の表面が互いに電気的に接続されたことを特徴とする半導体デバイス。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-179140
特開昭62-229866
特開平1-122367

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