特許
J-GLOBAL ID：200903054409292060

ヘキサクロロジシランおよびアンモニアを用いた原子層蒸着によるシリコン含有固体薄膜の製造方法

発明者：
金 榮 寛

金 榮 寛 について

, 
朴 泳 旭

朴 泳 旭 について

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李 周 遠

李 周 遠 について

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金 東 燦

金 東 燦 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-174015
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343793
出願日： 2001年06月08日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：
【要約】【課題】 サーマルバジェットが低く、ステップカバレージに優れ、パターンローディング効果がなく、Si3N4のSi:N比が一定であり、優れた厚さ制御および均一度を実現でき、微細粒子の存在が最小であり、不純物の含量が少なく、薄膜成長速度が工業的に十分実施可能な、Si3N4薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 チャンバ内に基板を設置する段階(a)と、前記チャンバ内にSi2Cl6を含む第1反応物質を導入する段階(b)と、前記基板上に、前記第1反応物質の一部を化学吸着させ、かつ他の一部を物理吸着させる段階(c)と、前記チャンバから、段階(c)で化学吸着しなかった反応物質を除去する段階(d)と、前記チャンバ内にNH3を含む第2反応物質を導入する段階(e)と、前記基板上に、前記第2反応物質の一部と、化学吸着した前記第1反応物質とを化学的に反応させ、シリコンを含む固体物質を形成する段階(f)と、前記チャンバから、前記第2反応物質の未反応部分を除去する段階(g)とを含むことを特徴とする、シリコン含有固体薄膜の製造方法。
請求項（抜粋）：
チャンバ内に基板を設置する段階(a)と、前記チャンバ内にSi2Cl6を含む第1反応物質を導入する段階(b)と、前記基板上に、前記第1反応物質の一部を化学吸着させ、かつ他の一部を物理吸着させる段階(c)と、前記チャンバから、段階(c)で化学吸着しなかった反応物質を除去する段階(d)と、前記チャンバ内にNH3を含む第2反応物質を導入する段階(e)と、前記基板上に、前記第2反応物質の一部と、化学吸着した前記第1反応物質とを化学的に反応させ、シリコンを含む固体物質を形成する段階(f)と、前記チャンバから、前記第2反応物質の未反応部分を除去する段階(g)とを含むことを特徴とする、シリコン含有固体薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/318 ,  C23C 16/42
FI (2件)：
H01L 21/318 B ,  C23C 16/42
Fターム (20件)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F058BA09 ,  5F058BC08 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (1件)

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