特許
J-GLOBAL ID：200903067224072476
原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-034413
公開番号（公開出願番号）：特開2000-054134
出願日： 1999年02月12日
公開日（公表日）： 2000年02月22日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】原子層蒸着法で膜密度が高くて、優秀な化学量論的な薄膜を得ることができる薄膜製造方法。【解決手段】基板がローディングされたチャンバに第1反応物を注入して基板上に第1反応物を化学吸着させ、チャンバをパージしたりポンピングして(Pして)、化学吸着された第1反応物上に物理吸着された第1反応物を取り除き、チャンバに再び第1反応物を注入して基板上に第1反応物を稠密するように化学吸着させ、Pして稠密するように化学吸着された第1反応物上に物理吸着された第1反応物を取り除き、チャンバに第2反応物を注入して基板の表面に化学吸着させ、Pして稠密するように化学吸着された第1反応物及び第2反応物上に物理吸着された第2反応物を取り除き、チャンバに再び第2反応物を注入して基板上に第2反応物を稠密するように吸着させて化学置換によって原子単位厚さに固体薄膜を形成する方法。
請求項（抜粋）：
(A)基板がローディングされたチャンバに第1反応物を注入して前記基板上に前記第1反応物を化学吸着させる段階と、(B)前記化学吸着された第1反応物上に物理吸着された第1反応物を取り除く段階と、(C)前記チャンバに再び前記第1反応物を注入して前記基板上に稠密するように化学吸着させる段階と、(D)前記稠密するように化学吸着された第1反応物上に物理吸着された第1反応物を取り除く段階と、(E)前記チャンバに第2反応物を注入して前記基板の表面に化学吸着させる段階と、(F)前記稠密するように化学吸着された第1反応物と第2反応物上に物理吸着された第2反応物を取り除く段階と、(G)前記チャンバに再び前記第2反応物を注入して前記基板上に前記第2反応物を稠密するように吸着させて化学置換によって固体薄膜を形成することを特徴とする薄膜製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 16/44 A
, H01L 21/316 X
