窒化物半導体レーザ素子

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-106873
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303493
出願日： 1997年04月24日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【目的】窒化物半導体を用いたレーザ光源の寿命を向上させる。【構成】レーザ素子のゲインを得る媒質の距離を100μm以下とすると、ゲインが飽和しない。そのため、例えば共振器長を100μm以下とするファブリ・ペロー型のInGaNを活性層とするダブルへテロ構造のレーザ素子では、出力が大幅に向上し、さらに寿命も長くなる。

請求項（抜粋）：